Монокристаллические фотосопротивления

Монокристаллические фотосопротивленияПоликристаллические фотосопротивления имеют рабочую поверхность порядка 0,3 см2, темновое сопротивление более 107 ом, удельную чувствительность 2500-3000 мк/лм, максимально допустимое рабочее напряжение 300-400 в, максимум чувствительности лежит в области видимого спектра (0,52-0,6 мк), стабильность достаточно высокая. Монокристаллические фотосопротивления имеют чувствительность порядка 0,5-3 а/лм и даже больше при напряжении питания 70 в и темновой ток 10 а. Серьезным их недостатком является инерционность, таллофидные сопротивления имеют максимум чувствительности при длине волны около 0,9 мк и порог порядка 2 мк (большого распространения не имеют), сернисто-свинцовые фотосопротивления имеют темновое сопротивление, лежащее в пределах 104-105 ом и удельную чувствительность порядка 500 мк/лм, максимальное рабочее напряжение 15 в, площадь светочувствительной поверхности порядка 0,25 см2, максимум чувствительности лежит в области инфракрасных лучей -2 мк, весьма чувствительны к температуре, обладают меньшей инерционностью, чем селеновые и таллофидные. Максимум чувствительности лежит в пределах 5050-5100 А, эти фотосопротивления можно использовать и как индикаторы рентгеновских лучей они обладают высокой стабильностью.

Наряду с перечисленными видами фотоэлектрических датчиков применяются и фотоэлементы вентильного типа, селеновые, медно-закисные, сернисто-серебряные (ФЭСС-У). Этот тип фотоэлементов не требует постороннего источника электрической энергии, чувствительность фотоэлементов типа ФЭСС-У очень велика и может достигать значения 8600 мк/лм, максимум чувствительности лежит в ближней инфракрасной области в районе 0,8-0,9 мк, зависимость фототока от падающего потока имеет линейный характер в ограниченном диапазоне освещенности до 100-200 лк.

Комментарии запрещены.

Среднее машиностоение