Определение фотосопротивления

Определение фотосопротивленияВ связи с тем, что внутреннее сопротивление фотоэлементов с внешним фотоэффектом весьма велико, то сопротивление нагрузки будет сказываться только при относительно большом ее значении. Как видно, вакуумные фотоэлементы работают почти безынерционно. Инерционность фотоэлементов имеет большое значение при их использовании для целей измерений быстропеременных процессов.

Газонаполненные фотоэлементы более инерционны (инерционность их зависит от рода газа, принятого для наполнения, и от его давления, от приращения напряжения на фотоэлементе и от того, насколько это напряжение меньше напряжения зажигания и напряжения питания фотоэлемента).

Фотосопротивление представляет собой полупроводник, сопротивление которого изменяется под влиянием падающей лучистой энергии. Рассмотрим схему включения фотосопротивления.

В том случае, когда световой поток Ф отсутствует, через фотосопротивление протекает так называемый темновой ток. При облучений фотосопротивления ток возрастает, достигая определенного значения. При изменении потока изменяется и ток; связь между ними нелинейная.

Разность между током является одной из важных характеристик фотосопротивлений. Другими важными характеристиками фотосопротивления являются интегральная и спектральная чувствительность, вольтамперная характеристика, постоянная времени, рабочее напряжение, (темновое сопротивление), (световое сопротивление) и световая характеристика.

Избирательную чувствительность фотосопротивления определяют обычно как отношение фототока к величине падающего светового потока при напряжении, приложенном к нему в 1 в (удельная интегральная чувствительность).

Определяется для определенного значения напряжения и потока, для других значений будет другим, так как нет линейной зависимости.

Комментарии запрещены.

Среднее машиностоение